報告主題: 第三代半導體材料的應用和最新研究動態
報告專家：日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任🙎🏼，電氣電子系教授🔖，博士生導師
報告時間：2016年11月4日09ℹ️：30
報告地點：行政樓506
專家介紹🛗🫄🏻：
郭其新，日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任，電氣電子系教授𓀌，博士生導師🧘。分別於1990，1992和1996年在日本國立豐橋技術科學大學電氣電子系獲得學士，碩士和博士學位。主要從事半導體材料製備與表征，同步輻射光應用研究。已在Nature Communications，Advanced Materials🧖♂️，Physical Review B, Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters等期刊上發表SCI論文280余篇，H因子為32 （Scopus）。在國際學術會議上多次做邀請報告並擔任多個國際會議組織機構成員和技術委員會委員🦸🏿。日本學術振興會162寬禁帶光電材料委員會委員。日本國立九州大學客座教授，上海交通大學客座教授，恒达娱乐客座教授，中國科恒达客座研究員。
內容介紹：
以矽(Si)為代表的第一代半導體材料🤦🏿♀️，砷化镓(GaAs)為代表的第二代半導體材料，為人類社會發展做出了巨大貢獻。現在以GaN👡，Ga2O3為代表的第三代半導體材料在各種應用領域擁有前兩代半導體材料無法比擬的優點⛩，具有高擊穿電場🧈、高飽和電子速度😰、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點🚚，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件🩲🟤，以及光電子和微電子等產業的“新發動機”📸。 報告將介紹第三代半導體材料的原理🍎，製作方法和國際上的最新研究動態🌗。
