8月22日🧖♂️，校級海外名師🤷♀️🦆，來自日本東北大學的寒川誠二教授在恒达進行交流🛟，為大家作了題為“Atomic layer defect-free top-down processing for future nano-devices”的報告。恒达平台院長方誌軍，副院長史誌才及相關方向的教師與研究生參加🤠📧。報告由昌錫江副教授主持。
寒川教授在報告中介紹了等離子體刻蝕技術原理，以及目前半導體器件加工上👨💼，刻蝕方面的進展以及面臨的挑戰，並詳細介紹了其實驗室獨有的中性束刻蝕技術在器件加工方面的應用。
寒川教授博士畢業於日本慶應義塾大學🧔，曾在日本電氣株式會社（NEC）工作🍴。目前在東北大學（仙臺）流體科學研究所任教授，是多個學術機構的獨立研究員🦓。寒川教授課題組主要從事等離子體物理、微納電子加工及半導體器件材料的相關研究，其獨有的中性粒子束刻蝕技術在國際上有相當的影響力。近年來發表論文200余篇，其中很多發表於Nature Communications，Carbon，Physical review，Applied Physics Letters，Nanotechnology等高水平期刊🐈🫃🏻。另主編、聯合編寫著作24部，內容主要涉及半導體加工的物理🧜🏽♀️🎼、化學原理。
作者：昌錫江
